特許
J-GLOBAL ID：201303066985385350
量子カスケード半導体レーザ、レーザ装置および量子カスケード半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-168686
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033824
出願日： 2011年08月01日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】側面における半田材の這い上がりを抑制する。【解決手段】量子カスケード半導体レーザ1は、下部クラッド層11、コア層13および上部クラッド層15を含む半導体積層20と、半導体積層20の主面16a上に設けられた絶縁層41と、絶縁層41の開口部41aを介して主面16aに接続された上部電極E1とを備える。半導体積層20は、法線軸NVに直交する一方向に沿って順に配置された第1領域20a、第2領域20bおよび第3領域20cからなり、第1領域20aおよび第3領域20cの各々には、法線軸NVおよび一方向に直交する他方向に沿って半田閉込溝32が設けられ、絶縁層41は、主面16aおよび半田閉込溝32に設けられ、第1領域20aおよび第3領域20cは第2領域20bより低い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のクラッド層、コア層および第2のクラッド層を含む半導体積層と、
前記半導体積層の主面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の開口を介して前記主面に接続された電極と、
を備え、
前記第1のクラッド層、前記コア層および前記第2のクラッド層は、前記主面の法線軸に沿って順に配列されており、
前記第1のクラッド層の導電型は、前記第2のクラッド層の導電型と同じであり、
前記半導体積層は、前記法線軸に直交する一方向に沿って順に配置された第1領域、第2領域および第3領域からなり、
前記第1領域および前記第3領域の各々には、前記法線軸および前記一方向に直交する他方向に沿って第1の溝が設けられ、
前記絶縁層は、前記主面および前記第1の溝に設けられ、
前記第1領域および前記第3領域の高さは、前記第2領域の高さより小さいことを特徴とする量子カスケード半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F173AA08
, 5F173AF15
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173MC30
, 5F173MD52
, 5F173MD63
, 5F173MD84
