特許
J-GLOBAL ID:201303067409288699

光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-273725
公開番号(公開出願番号):特開2013-125859
出願日: 2011年12月14日
公開日(公表日): 2013年06月24日
要約:
【課題】発光波長に近紫外〜可視光域を含むLED・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域、特に波長375nm近辺および可視光域、特に波長450nm近辺を発光する素子搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れ、破断部が露出していても腐食やLED素子へのダメージ等がない、長期信頼性に優れた光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性基体1の最表面の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に反射層2を具備してなる光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層が、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域の最表面において、銀または銀合金からなるめっき組織の少なくとも表面が圧延処理された組織を有してなり、前記光半導体装置用リードフレームの圧延加工面が、光半導体素子3を搭載するための凹部4を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性基体の最表面の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に反射層を具備してなる光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層が、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域の最表面において、銀または銀合金からなるめっき組織の少なくとも表面が圧延処理された組織を有してなり、前記光半導体装置用リードフレームの圧延加工面が、光半導体素子を搭載するための凹部を有することを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
IPC (3件):
H01L 33/62 ,  H01L 23/48 ,  H01L 33/60
FI (3件):
H01L33/00 440 ,  H01L23/48 Y ,  H01L33/00 432
Fターム (8件):
5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA26 ,  5F041DA29 ,  5F041DA43
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-207700   出願人:三菱電線工業株式会社
  • 特開昭61-201762
  • 照明装置とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-224268   出願人:三洋電機株式会社

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