特許
J-GLOBAL ID：201303067466212992

フォトレジスト組成物及びネガ型パターン形成方法

発明者：
生井 準人

生井 準人 について

, 
古川 泰一

古川 泰一 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (8件)： 天野 一規 ,  藤本 勝誠 ,  池田 義典 ,  小川 博生 ,  加藤 早苗 ,  石田 耕治 ,  森田 慶子 ,  各務 幸樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-205328
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068675
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】本発明は、パターン形成工程におけるレジスト膜の膜減りを抑制すると共に、解像性及びLWRにも優れるフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、有機溶媒を含有する現像液を用いるネガ型パターン形成用のフォトレジスト組成物であって、[A]酸の作用により水酸基となる基を含む構造単位(I)を有する重合体、及び[B]酸発生体を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物である。また、[A]重合体が、酸の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解度は増大し、有機溶媒を含有する現像液に対する溶解度は減少する重合体であることが好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
有機溶媒を含有する現像液を用いるネガ型パターン形成用のフォトレジスト組成物であって、 [A]酸の作用により水酸基となる基を含む構造単位(I)を有する重合体、及び [B]酸発生体 を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (23件)：
2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH05 ,  2H125AH12 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AN39P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM