特許
J-GLOBAL ID：201303067626652307
陽極化成装置およびこれを用いた多孔質層の形成方法、ならびに半導体薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233396
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045869
特許番号：特許第4821067号
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電解溶液により充たされるとともに、少なくとも側面および底面に設けられたガイド溝により二つ以上の電解溶液室に分割され、前記各電解溶液室に電極を有する電解溶液槽と、前記ガイド溝に対して挿入または取り出し可能であるとともに、処理対象基板を保持する基板保持部材とを備え、
前記基板保持部材は、それぞれ円盤状の処理対象基板を電解溶液に接触させるための円形の開口部が設けられた第1のカセットおよび第2のカセットを有し、
前記第1のカセットの前記開口部の周縁部に、前記処理対象基板を保持する係止部が設けられ、
前記第2のカセットの前記開口部に、前記処理対象基板を押止する環状押止部材が嵌め込まれ、
前記第1のカセットの係止部と前記第2のカセットの環状押止部材との間に処理対象基板を挟むようにしており、
前記第1のカセットおよび前記第2のカセットと前記処理対象基板との間に形成される第1の隙間が、前記処理対象基板の周縁部全体にわたって均等である
陽極化成装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3063 ( 200 6.01)
, C25D 17/00 ( 200 6.01)
H01L 21/306 L
, C25D 17/00 A
