特許
J-GLOBAL ID:200903048445109922
陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 康徳 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-290125
公開番号(公開出願番号):特開平10-275798
出願日: 1997年10月22日
公開日(公表日): 1998年10月13日
要約:
【要約】【課題】基板の支持方法を改善して陽極化成処理の効率化を図る。【解決手段】耐HF性材料よりなるホルダ102は、円形状の二重の溝を有し、この溝には夫々Oリング104がはめ込まれている。この二重のOリング104の間の空間をポンプ111により減圧することによりシリコン基板101を吸着して保持する。ホルダ102には、開口部103が設けられ、シリコン基板101の両面がHF溶液107に接触するよう構成されている。白金電極106aをマイナス電極、白金電極106bをプラス電極として直流電圧を印加することによりシリコン基板101が陽極化成されて多孔質基板が生成される。
請求項(抜粋):
電解質溶液中で基板に陽極化成処理を施す陽極化成装置であって、対向する一対の電極と、基板の片面の一部を吸着して前記一対の電極の間に保持する保持部と、を備えることを特徴とする陽極化成装置。
IPC (3件):
H01L 21/3063
, H01L 21/304 341
, H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/306 L
, H01L 21/304 341 C
, H01L 21/68 N
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平4-129221
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334263
出願人:大見忠弘
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特開平4-186818
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化成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-171076
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-372129
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ウエット処理装置およびウエット処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-319397
出願人:株式会社日立製作所
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半導体基体とその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-046303
出願人:キヤノン株式会社
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陽極化成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-031325
出願人:キヤノン株式会社
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