特許

J-GLOBAL ID：201303067750736276

半導体部品の製造方法

発明者： 川合 延洋
出願人/特許権者： 株式会社テクラボ
代理人 (1件)： 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-287706
公開番号（公開出願番号）：特開2013-136810
出願日： 2011年12月28日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：

【課題】透明電極上に低抵抗金属膜を形成する方法において、最適な皮膜形成方法により、透明電極との密着性に優れ、かつ、ファイン化にも対応した半導体部品を製造する。【解決手段】透明電極30上に皮膜を形成する際、先ず透明電極30上に低応力皮膜20を形成し、その上に、下地よりも低抵抗の金属皮膜10を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明電極上に低抵抗皮膜層を形成する方法において、下地に低応力皮膜層を形成する工程と、前記低応力皮膜層よりも抵抗の低い低抵抗皮膜層を前記低応力皮膜層上に形成する工程とからなることを特徴とする半導体部品の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 18/31 ,  G06F 3/041 ,  G09F 9/00 ,  B32B 7/02 ,  H01B 13/00

FI (5件)：

C23C18/31 A ,  G06F3/041 330A ,  G09F9/00 342Z ,  B32B7/02 104 ,  H01B13/00 503Z

Fターム (29件)：

4F100AA36C ,  4F100AB16C ,  4F100AB24B ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100GB41 ,  4F100JG04 ,  4F100JG04B ,  4F100JG04C ,  4F100JG10 ,  4F100JG10A ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100YY00C ,  4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  4K022EA02 ,  4K022EA04 ,  5B087AC14 ,  5B087CC13 ,  5B087CC14 ,  5B087CC16 ,  5G323AA01 ,  5G435AA06 ,  5G435HH12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012561   出願人：京セラ株式会社
• めっき体およびめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-070369   出願人：大和電機工業株式会社