特許
J-GLOBAL ID：201303069629437663
均一メソ細孔を有するMFI型ゼオライト、及び、その製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062966
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227203
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】 触媒として使用するときに、より大きな分子を対象とした選択触媒反応にも用いることができる新規MFI型ゼオライト及びその製造方法を提供する。【解決手段】 (i)〜(iii)の性質を備えるMFI型ゼオライト。(i)ピークの半値幅が最大でも20nmであり、最大ピークの中心値が10nm以上20nm以下である細孔分布曲線を有し、細孔容積が少なくとも0.05ml/gである均一メソ細孔を有する。(ii)回折角を2θとした粉末X線回折測定において0.1〜3度の範囲にピークを有さない。(iii)平均粒子径が最大でも100nmである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下記性質を備えるMFI型ゼオライト。
(i) ピークの半値幅(hw)が最大でも20nm(hw≦20nm)であり、最大ピークの中心値(μ)が10nm以上20nm以下(10nm≦μ≦20nm)である細孔分布曲線を有し、細孔容積(pv)が少なくとも0.05ml/g(0.05ml/g≦pv)である均一メソ細孔を有する。
(ii) 回折角を2θとした粉末X線回折測定において0.1〜3度の範囲にピークを有さない。
(iii) 平均粒子径(PD)が最大でも100nm(PD≦100nm)である。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (51件)：
4G073BA02
, 4G073BA04
, 4G073BA57
, 4G073BA75
, 4G073BB05
, 4G073BB24
, 4G073BB48
, 4G073BB58
, 4G073BD07
, 4G073BD13
, 4G073BD21
, 4G073FC04
, 4G073FC12
, 4G073FC13
, 4G073FC30
, 4G073GA01
, 4G073GA03
, 4G073GA11
, 4G073GA13
, 4G073GA14
, 4G073GB02
, 4G073UA01
, 4G169AA02
, 4G169BA07A
, 4G169BA07B
, 4G169BC02A
, 4G169BC02B
, 4G169BC16A
, 4G169BC16B
, 4G169BD02A
, 4G169BD02B
, 4G169BE17C
, 4G169CC04
, 4G169CC13
, 4G169DA06
, 4G169EA02Y
, 4G169EC06Y
, 4G169EC15Y
, 4G169FA01
, 4G169FB05
, 4G169FB64
, 4G169FB77
, 4G169FC03
, 4G169FC08
, 4G169ZA11A
, 4G169ZA11B
, 4G169ZC02
, 4G169ZC04
, 4G169ZC06
, 4G169ZC07
, 4G169ZE03
出願人引用 (5件)
-
シリカゼオライト低誘電率薄膜
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-513002
出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
-
小形のゼオタイプ結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-328436
出願人：ハルドール・トプサー・アクチエゼルスカベット
-
特開平3-285813
-
特開昭53-134798
-
特開平2-097416
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審査官引用 (5件)
-
シリカゼオライト低誘電率薄膜
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-513002
出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
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小形のゼオタイプ結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-328436
出願人：ハルドール・トプサー・アクチエゼルスカベット
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特開平3-285813
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特開昭53-134798
-
特開平2-097416
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