特許

J-GLOBAL ID：201303070471966459

水素ガスセンサ及びその製造方法

発明者： 原 信義 ,  武藤 泉 ,  朱 星▲いく▼
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 林 恒徳 ,  土井 健二 ,  松枝 浩一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-257072
公開番号（公開出願番号）：特開2013-040961
出願日： 2012年11月26日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で0.01%以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体の基板表面上に、内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成され且つ前記微細孔及び前記微細筒の長軸方向が前記基板の法線方向に配向する構造のチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を備えることを特徴とする水素ガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (1件)：

G01N27/12 C

Fターム (10件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046FB02 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE44