特許

J-GLOBAL ID：201303074304397260

検出装置、検出システム、及び、検出装置の製造方法

発明者： 望月 千織 ,  渡辺 実 ,  横山 啓吾 ,  大藤 将人 ,  川鍋 潤 ,  藤吉 健太郎 ,  和山 弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-106882
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235934
出願日： 2012年05月08日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】 応答特性の低下を抑制して好適な応答特性を有する検出装置を提供する。【解決手段】 基板の上に配置された第1電極122と、第1電極122の上に配置された半導体層124と、各々が半導体層124の上に配置された第1領域125aと第2領域125bとを少なくとも含む不純物半導体層125と、不純物半導体層125の第1領域125aの上に不純物半導体層125と接して配置された第2電極126と、を含む変換素子12を有する検出装置であって、第2電極126と接しない位置に配置された第2領域125bのシート抵抗は、前記第1領域125aのシート抵抗よりも低い。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に配置された第1電極と、前記第1電極の上に配置された半導体層と、各々が前記半導体層の上に配置された第1領域と第2領域とを少なくとも含む不純物半導体層と、前記不純物半導体層の前記第1領域の上に前記不純物半導体層と接して配置された第2電極と、を含む変換素子を有する検出装置であって、 前記第2電極と接しない位置に配置された前記第2領域のシート抵抗は、前記第1領域のシート抵抗よりも低いことを特徴とする検出装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/144 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (5件)：

H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  H01L31/10 A ,  H01L31/00 A ,  H04N5/32

Fターム (40件)：

4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB06 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB23 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX23 ,  5C024HX35 ,  5C024HX50 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049NA03 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049WA07 ,  5F088AA02 ,  5F088AB02 ,  5F088AB09 ,  5F088BA02 ,  5F088BB03 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA04 ,  5F088GA02 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08