特許

J-GLOBAL ID：201303075423096070

異方性半導体ナノ粒子

発明者： バニン、ウリ ,  ジムラン、アディエル ,  リエベルマン、イタイ ,  シット、アミット
出願人/特許権者： イッスム・リサーチ・ディベロップメント・カンパニー・オブ・ザ・ヘブルー・ユニバーシティ・オブ・エルサレム・リミテッド
代理人 (7件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  砂川 克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-528833
公開番号（公開出願番号）：特表2013-539798
出願日： 2011年09月15日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

本発明は、コア/シェル構造体又は単一材料ロッド要素であるシード構造体が埋め込まれた細長構造体を含む有核ロッド(SR)ナノ構造体系を提供する。本明細書で開示されるSR系は様々な電子及び光学デバイスにおける使用に適している。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

1つのシード構造体が埋め込まれた細長構造体を含む有核ロッド(SR)ナノ構造体であって、前記シード構造体がコア/シェル構造体又は単一材料ロッド要素であり、 当該シードがロッド要素である場合、前記要素を埋め込んだ前記細長構造体の材料の一方の端部での前記ナノ構造体の1つの軸に沿った厚さは、同じ軸に沿った他方の端部と比較して大きい、又は1つの軸に沿った厚さが、別の軸と比較して大きく、 当該シードはコア/シェル構造体である場合、当該コア及びシェルのうちの少なくとも一方の材料が半導体材料であるナノ構造体。

IPC (4件)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/74 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/88

FI (4件)：

C09K11/08 G ,  C09K11/74 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88

Fターム (9件)：

4H001CA04 ,  4H001CC06 ,  4H001CC07 ,  4H001XA15 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ナノ粒子からなる蛍光性ファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-099421   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (1件)

• 半導体ナノ粒子からなる蛍光性ファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-099421   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

出願人引用 (3件)

• CdSe/CdS/ZnS Double Shell Nanorods with High Photoluminescence Efficiency and Their Exploitation As
• Epitaxial Growth and Photochemical Annealing of Graded CdS/ZnS Shells on Colloidal CdSe Nanorods
• Optical Analysis of a series of Size and Shape-controlled Type-II CdTe/CdSe/CdTe Heterostructure Nan

審査官引用 (3件)

• CdSe/CdS/ZnS Double Shell Nanorods with High Photoluminescence Efficiency and Their Exploitation As
• Epitaxial Growth and Photochemical Annealing of Graded CdS/ZnS Shells on Colloidal CdSe Nanorods
• Optical Analysis of a series of Size and Shape-controlled Type-II CdTe/CdSe/CdTe Heterostructure Nan