特許
J-GLOBAL ID：201303075634776522

発光ダイオードの製造方法

発明者：
徳永 悠

徳永 悠 について

, 
松村 篤

松村 篤 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦 ,  三國 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-041818
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179150
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】p型電極層とn型電極層とを同時に、かつ従来よりも低温の温度域にて合金化熱処理を行うことができる発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、一端にp型半導体層10を備え、他端にn型半導体層1を備え、p型半導体層10とn型半導体層1との間に発光層7を含む化合物半導体層30を具備する発光ダイオード100の製造方法であって、p型半導体層10上に、AuとBeとNiとを含有する材料からなるp型電極層12を形成すると共に、n型半導体層1上に、AuとGeとNiとを含有する材料からなるn型電極層13を形成する工程と、p型電極層12とn型電極層13とを同時に合金化熱処理を行う工程と、を有し、合金化熱処理を、p型電極層12及びn型電極層13がともにオーミック接触になる温度範囲で行うことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一端にp型半導体層を備え、他端にn型半導体層を備え、前記p型半導体層と前記n型半導体層との間に発光層を含む化合物半導体層を具備する発光ダイオードの製造方法であって、 前記p型半導体層上に、AuとBeとNiとを含有する材料からなるp型電極層を形成すると共に、前記n型半導体層上に、AuとGeとNiとを含有する材料からなるn型電極層を形成する工程と、 前記p型電極層と前記n型電極層とを同時に合金化熱処理を行う工程と、 を有し、 前記合金化熱処理を、前記p型電極層及び前記n型電極層がともにオーミック接触になる温度範囲で行うことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/40 ,  H01L 33/30
FI (2件)：
H01L33/00 220 ,  H01L33/00 184
Fターム (30件)：
5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F141AA42 ,  5F141CA04 ,  5F141CA12 ,  5F141CA23 ,  5F141CA36 ,  5F141CA37 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA85 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA99 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36
引用特許：
審査官引用 (6件)
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