特許

J-GLOBAL ID：201303075917943247

フォトセンサの駆動方法、半導体装置の駆動方法、半導体装置、及び電子機器

発明者： 青木 健 ,  田村 輝
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-258827
公開番号（公開出願番号）：特開2012-257191
出願日： 2011年11月28日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、前記トランジスタを介して前記受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサの駆動方法であり、 導通状態から非導通状態とするために前記トランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、前記電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制するフォトセンサの駆動方法。

IPC (4件)：

H04N 5/341 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H04N5/335 410 ,  H04N5/335 740 ,  H01L27/14 C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B

Fターム (125件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA14 ,  4M118CA05 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN44 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パーティションノイズを減少させることができるCMOSイメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-030528   出願人：マグナチップセミコンダクター有限会社
• 高性能画像センサのための透明チャネル薄膜トランジスタベースのピクセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-507860   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
• フォトセンサ及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-266076   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所