炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 野上敦 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-104798
特許番号：特許第4733882号
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、原料としてバナジウムの濃度が1×1018〜6×1019atom/cm3であり、バナジウム以外の炭化珪素単結晶の高抵抗率化を阻害する不純物の濃度が1×1015atom/cm3以下である炭化珪素結晶のみを用いて、不活性ガス雰囲気中で炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1件)：