特許
J-GLOBAL ID：201303083475723300

半導体装置の製造における熱処理方法

発明者：
河瀬 和雅

河瀬 和雅 について

, 
渡辺 友勝

渡辺 友勝 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-273393
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125837
出願日： 2011年12月14日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：
【課題】SiC基板上に形成されたSiO2膜を、質量密度が2.24g/cm3以上で、酸素欠損が少ないSiO2膜に改質するための熱処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る熱処理方法は、SiC基板上に形成されたSiO2膜の熱処理方法であって、H2Oガス雰囲気において、SiO2膜を851°C以上867°C以下で一定時間保持する工程を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SiC基板上に形成されたSiO2膜の熱処理方法であって、 (a)H2Oガス雰囲気において、前記SiO2膜を851°C以上867°C以下で一定時間保持する工程を備える、 半導体装置の製造における熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/324
FI (2件)：
H01L21/316 S ,  H01L21/324 X
Fターム (9件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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