半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078887
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243919
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】SiC基板上にSiO2膜を有する半導体装置の製造に際して、そのSiO2/SiC界面近傍の界面準位密度が低減するとともに、SiO2膜の密度を高めてそのSiO2膜の厚みを20〜100nm程度とすることが容易である半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明における半導体装置の製造方法は、(a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、(b)前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板を200°C以上かつ700°C未満の温度に設定し、酸素ラジカルを発生してラジカル酸化する酸化工程とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、 (b)200°C以上かつ700°C未満の温度で、前記SiO2膜及び前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板に酸素ラジカルを供給し、ラジカル酸化する酸化工程と、を備える半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/316

FI (2件)：

H01L21/316 C , H01L21/316 X

Fターム (15件)：

5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF72 , 5F058BF78 , 5F058BG03 , 5F058BH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

SiC半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317022 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-032516 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-180226
半導体装置の作製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274073 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社

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