特許
J-GLOBAL ID：200903046149295106
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078887
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243919
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】SiC基板上にSiO2膜を有する半導体装置の製造に際して、そのSiO2/SiC界面近傍の界面準位密度が低減するとともに、SiO2膜の密度を高めてそのSiO2膜の厚みを20〜100nm程度とすることが容易である半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明における半導体装置の製造方法は、(a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、(b)前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板を200°C以上かつ700°C未満の温度に設定し、酸素ラジカルを発生してラジカル酸化する酸化工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO2膜を堆積する堆積工程と、
(b)200°C以上かつ700°C未満の温度で、前記SiO2膜及び前記SiO2膜を堆積した前記SiC基板に酸素ラジカルを供給し、ラジカル酸化する酸化工程と、を備える半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/316 C
, H01L21/316 X
5F058BA06
, 5F058BA20
, 5F058BB01
, 5F058BC02
, 5F058BF02
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF29
, 5F058BF54
, 5F058BF55
, 5F058BF62
, 5F058BF72
, 5F058BF78
, 5F058BG03
, 5F058BH03
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-032516
出願人：セイコーエプソン株式会社
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特開平4-180226
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半導体装置の作製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-274073
出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社
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