特許
J-GLOBAL ID:201303084209721950
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-244849
公開番号(公開出願番号):特開2013-216562
出願日: 2012年11月06日
公開日(公表日): 2013年10月24日
要約:
【課題】低粘特性温度が高く、かつ直接通電加熱による熔解において熔解槽熔損の問題の発生を回避しつつ製造が可能p-Si・TFTフラットパネルディスプレイ用ガラス基板とその製造方法を提供する。【解決手段】SiO252〜78質量%、Al2O33〜25質量%、B2O33〜15質量%、RO(但し、ROはMgO、CaO、SrO及びBaOの合量)3〜20質量%、R2O(但し、R2OはLi2O、Na2O及びK2Oの合量)0.01〜0.8質量%、Sb2O3 0〜0.3質量%、を含有し、As2O3は実質的に含有せず、質量比CaO/ROは0.65以上であり、質量比(SiO2+Al2O3)/B2O3は7〜30の範囲であり、かつ質量比(SiO2+Al2O3)/ROは5以上である組成からなるガラス。【選択図】なし
請求項(抜粋):
SiO2 52〜78質量%、
Al2O3 3〜25質量%、
B2O3 3〜15質量%、
RO(但し、ROはMgO、CaO、SrO及びBaOの合量) 3〜20質量%、
R2O(但し、R2OはLi2O、Na2O及びK2Oの合量) 0.01〜0.8質量%を含有し、
Sb2O3 0〜0.3質量%、
かつAs2O3は実質的に含有しないガラスからなり、
昇降温速度が10°C/min、550°Cで2時間保持の熱処理が施された後の下記式で示される熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
(式)
熱収縮率(ppm)={熱処理前後でのガラスの収縮量/熱処理前のガラスの長さ}×106
IPC (2件):
FI (2件):
C03C3/091
, G02F1/1333 500
Fターム (84件):
2H190JB02
, 2H190JC08
, 2H190JD18
, 2H190LA04
, 4G062AA01
, 4G062BB01
, 4G062BB06
, 4G062DA06
, 4G062DA07
, 4G062DB03
, 4G062DB04
, 4G062DC03
, 4G062DC04
, 4G062DD01
, 4G062DE01
, 4G062DF01
, 4G062EA01
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, 4G062EA10
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, 4G062FF01
, 4G062FG01
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062GA01
, 4G062GA10
, 4G062GB01
, 4G062GC01
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, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
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, 4G062HH20
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, 4G062JJ10
, 4G062KK01
, 4G062KK03
, 4G062KK05
, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM01
, 4G062MM27
, 4G062NN30
, 4G062NN31
, 4G062NN33
, 4G062NN34
引用特許:
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