特許
J-GLOBAL ID：201303084966151789
純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石原 進介
, 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-151660
公開番号（公開出願番号）：特開2013-234119
出願日： 2013年07月22日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】 不純物濃度が最小であり且つ気泡及び気泡成長を低減させたるつぼ内層を有するシリカるつぼを合理的なコストで作製する【解決手段】 シリカガラスるつぼを製造する方法であって、モールドキャビティ内に第1のシリカ粒子層を形成すること、前記第1のシリカ粒子層上に第2のシリカ粒子層を形成すること、前記第2のシリカ粒子層の少なくとも一部を第1の温度で溶融すること、前記第1のシリカ粒子層の少なくとも一部を、前記第1の温度を超える高い第2の温度で溶融すること、第1のシリカ粒子層の少なくとも一部を昇華させること、前記粒子を介してガスを実質的に吸引することなく、前記第2のシリカ粒子層の少なくとも一部を溶融すること、及び前記第1のシリカ粒子層を溶融しながら、前記粒子を介して、前記モールドキャビティの内壁に分布する孔へとガスを吸引するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリカガラスるつぼを製造する方法であって、
モールドキャビティ内に第1のシリカ粒子層を形成すること、
前記第1のシリカ粒子層上に第2のシリカ粒子層を形成すること、
前記第2のシリカ粒子層の少なくとも一部を第1の温度で溶融すること、
前記第1のシリカ粒子層の少なくとも一部を、前記第1の温度を超える高い第2の温度で溶融すること、
第1のシリカ粒子層の少なくとも一部を昇華させること、
前記粒子を介してガスを実質的に吸引することなく、前記第2のシリカ粒子層の少なくとも一部を溶融すること、及び
前記第1のシリカ粒子層を溶融しながら、前記粒子を介して、前記モールドキャビティの内壁に分布する孔へとガスを吸引すること、
を含む、シリカガラスるつぼを製造する方法。
IPC (3件)：
C03B 20/00
, C30B 15/10
, C30B 29/06
C03B20/00 H
, C30B15/10
, C30B29/06 502B
4G014AH00
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG02
, 4G077HA12
, 4G077PD01
, 4G077PD05
