特許
J-GLOBAL ID：201303085510058236
光変調装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-005143
特許番号：特許第4998865号
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】磁気光学素子とこの磁気光学素子に磁場を印加する磁場印加手段とを備え、
上記磁気光学素子が、Zn1-xMnxTe磁性半導体とZnTe半導体とを積層してなり、外部磁場を印加していない状態から印加することによって、上向きスピンの電子及び正孔が上記ZnTe半導体に分布する状態のままで、かつ、下向きスピンの電子及び正孔が上記ZnTe半導体に分布する状態から上記Zn1-xMnxTe磁性半導体に分布する状態へと切り換わり、
上記磁気光学素子に光を入射させると共に外部磁場を印加していない状態から上記磁場印加手段により外部磁場を印加することにより、下向きのスピンの励起子再結合に対応する右回りの円偏光成分と上向きのスピンの励起子再結合に対応する左回りの円偏光成分とを含んだ上記ZnTe半導体の層からの発光から、下向きのスピンの励起子再結合に対応する右回りの円偏光成分のみを有する上記Zn1-xMnxTe磁性半導体の層からの発光となって、上記磁気光学素子の発光波長及び発光の旋光特性を変調し又はスイッチする、光変調装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G02F 1/09 501
, G02F 1/09 505
