特許
J-GLOBAL ID：201303086034088349

ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法

発明者：
川原村 敏幸

川原村 敏幸 について


出願人/特許権者：
公立大学法人高知工科大学

公立大学法人高知工科大学 について


代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-164748
公開番号（公開出願番号）：特開2013-028480
出願日： 2011年07月27日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜およびその生成方法を提供する。【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α-Ga2O3薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜の生成方法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ドーパントを添加したことを特徴とする結晶性の高い導電性α-Ga2O3薄膜。
IPC (4件)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/368
FI (4件)：
C30B29/16 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  H01L21/368 Z
Fターム (56件)：
4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB01 ,  4G077EC01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG16 ,  4G077EG22 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TC03 ,  4G077TC04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC09 ,  4G077TE01 ,  4G077TH02 ,  4G077TH05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045DP04 ,  5F045EE02 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH01 ,  5F053HH05 ,  5F053KK10 ,  5F053LL02 ,  5F053LL06
引用特許：
審査官引用 (2件)

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