特許
J-GLOBAL ID:201303086453760553

磁性体のシミュレーションプログラム、シミュレーション装置及びシミュレーション方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 昭徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-202398
公開番号(公開出願番号):特開2013-064617
出願日: 2011年09月15日
公開日(公表日): 2013年04月11日
要約:
【課題】高抵抗磁性材料の磁性体での磁気共鳴現象及び渦電流の発生を考慮した高精度なシミュレーションを行なうこと。【解決手段】右辺第1項はメッシュci内の磁気的エネルギーによる磁界、第2項は慣性項、第3項は摩擦項である。慣性項は磁化変化速度の微分であるため、磁化変化速度を一定に保つ方向に磁界が働くことを表現している。摩擦項は、磁化変化速度に比例しており、磁化変化を阻止する方向に働くため磁化に対する摩擦を表現している。摩擦項および慣性項を用いた実効磁界[Hi]を求めることで、メッシュciにおいて、時刻(τ-Δτ)での磁化[Mi]から時刻τでの磁化[Mi]への変化量Δ[Mi]を、時刻(τ-Δτ)での磁化[Mi]と時刻τでの磁化[Mi]との摩擦および慣性を考慮して求めることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
磁性体のシミュレーションプログラムにおいて、 コンピュータに、 前記磁性体を構成する要素群のいずれかの要素から分割された領域ごとの磁化が変化する場合、各領域内の磁気的エネルギーから生成される磁界と、前記領域ごとの磁化を平均した平均磁化の変化を阻止する方向に働く磁化変化速度に基づく実効磁界を、前記領域ごとに算出させ、 前記領域ごとに算出された実効磁界と、前記領域ごとの磁化に基づいて、前記領域ごとに磁化変化量を求めて、前記領域ごとに前記変化後の磁化を算出させ、 前記領域ごとの変化前の磁化と前記変化後の磁化に基づいて、前記いずれかの要素における磁化が収束するかを判断させ、 前記いずれかの要素における磁化が収束すると判断された場合の前記領域ごとの平均磁化および前記平均磁化に基づく静磁界との組み合わせを記憶装置に格納させることを特徴とする磁性体のシミュレーションプログラム。
IPC (2件):
G01N 27/72 ,  G01R 33/12
FI (2件):
G01N27/72 ,  G01R33/12 Z
Fターム (8件):
2G017CA01 ,  2G017CA03 ,  2G053AB01 ,  2G053AB10 ,  2G053AB21 ,  2G053AB23 ,  2G053BA03 ,  2G053CB22
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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