特許

J-GLOBAL ID：201303086839574207

積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法

発明者： 下田 達也 ,  ▲徳▼光 永輔 ,  尾上 允敏 ,  宮迫 毅明
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-551405
特許番号：特許第5232963号
出願日： 2012年10月25日
要約：

【要約】 本発明の1つの積層キャパシター100は、電極層20a,・・・,20eと誘電体層30a,・・・,30dとが交互に少なくとも2回積み重ねられた構造を一部に備えている。さらに積層キャパシター100は、誘電体層30a,・・・,30dが、ビスマスとニオブとからなる酸化物、又はビスマスと亜鉛とニオブとからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第1酸化物層と、ランタンとタンタルとからなる酸化物、ランタンとジルコニウムとからなる酸化物、及びストロンチウムとタンタルとからなる酸化物の群から選択される1種の酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第2酸化物層との積層酸化物からなる。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 電極層と誘電体層とが交互に少なくとも2回積み重ねられた構造を一部に備え、 前記誘電体層は、 ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物、又はビスマス(Bi)と亜鉛(Zn)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第1酸化物層と、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第2酸化物層との積層酸化物からなる、 積層キャパシター。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ( 200 6.01) ,  H01G 4/30 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 4/30 301 E ,  H01G 4/30 301 C ,  H01G 4/30 311 Z