特許

J-GLOBAL ID：201303087115780405

固体撮像素子

発明者： 三ツ井 哲朗 ,  椙山 卓郎
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-155912
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080902
出願日： 2012年07月11日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から200μm以下の領域である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、前記下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子であって、 前記有機光電変換膜において、前記下部電極が形成された画素電極領域に対応する前記有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、前記有機光電変換膜の外端から200μm以下の領域であることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 F ,  H01L27/14 C ,  H01L31/10 A

Fターム (27件)：

4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA08 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB20 ,  4M118FB23 ,  4M118GB03 ,  4M118GC07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NB05 ,  5F049SZ06 ,  5F049UA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 撮像素子及び撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-202087   出願人：富士フイルム株式会社
• 有機薄膜トランジスタの形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-070313   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社