特許
J-GLOBAL ID：201303088881600270
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-000551
特許番号：特許第5216945号
出願日： 2013年01月07日
要約：
【課題】安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジス
タを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、出力端子と接続するノード
を構成するトランジスタのチャネル長を、出力端子として機能するトランジスタのチャネ
ル長よりも大きくする。これによって、該ノードからの電流のリークを抑制して、長期間
にわたって安定して電位を保持することが可能となり、パルス信号出力回路の誤作動を防
止することができる。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1乃至第7のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのチャネル長は、前記第3のトランジスタのチャネル長よりも長く、
前記第5のトランジスタのチャネル長は、前記第4のトランジスタのチャネル長よりも長く、
前記第6のトランジスタのチャネル長は、前記第3のトランジスタのチャネル長よりも長く、
前記第6のトランジスタのチャネル長は、前記第4のトランジスタのチャネル長よりも長く、
前記第1乃至第7のトランジスタのいずれか一は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H03K 17/687 ( 200 6.01)
, H03K 17/06 ( 200 6.01)
, H03K 19/0175 ( 200 6.01)
, H03K 3/356 ( 200 6.01)
, H03K 23/44 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H03K 17/687 F
, H03K 17/06 C
, H03K 19/00 101 F
, H03K 3/356 B
, H03K 23/44
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/78 618 B
