特許
J-GLOBAL ID：201303089045673706

ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

発明者：
寺▲崎▼ 伸幸

寺▲崎▼ 伸幸 について

, 
長友 義幸

長友 義幸 について

, 
黒光 祥郎

黒光 祥郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083057
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214566
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】絶縁層の一方の面及び他方の面に互いに異なる金属で構成された回路層及び金属層を形成したパワーモジュール用基板とヒートシンクとを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の反りを、比較的短時間かつ低コストで低減することができるヒートシンクパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11の一方の面に、回路層12を形成する回路層形成工程と、絶縁層11の他方の面に、回路層12とは異なる金属からなる金属層13を形成する金属層形成工程と、金属層13側にヒートシンク31を接合するヒートシンク接合工程と、を備えており、前記ヒートシンク接合工程では、回路層12と絶縁層11と金属層13とヒートシンク31とを積層し、積層方向に加圧した状態で加熱して接合した後に、積層方向に加圧した状態で常温よりも低い温度にまで冷却する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に回路層が形成されるとともに前記絶縁層の他方の面に金属層が形成されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記金属層側に接合されるヒートシンクと、を備えた、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記絶縁層の一方の面に、前記回路層を形成する回路層形成工程と、 前記絶縁層の他方の面に、前記回路層とは異なる金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、 前記金属層側に前記ヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程と、 を備えており、 前記ヒートシンク接合工程では、前記回路層と前記絶縁層と前記金属層と前記ヒートシンクとを積層し、積層方向に加圧した状態で加熱して接合した後に、積層方向に加圧した状態で常温よりも低い温度にまで冷却することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/40 ,  H01L 23/36
FI (2件)：
H01L23/40 F ,  H01L23/36 C
Fターム (6件)：
5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA12 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM