特許
J-GLOBAL ID：201303089593368164
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大岩 増雄
, 竹中 岑生
, 村上 啓吾
, 吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117153
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243323
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】高放熱化を実現するのに加えて、安価で信頼性が高く、生産性の良い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】冷媒が循環する第1の冷却器8と、第1の冷却器8と間隔を隔てて対向配置された放熱板2と、放熱板2に接合されている半導体素子1と、放熱板2と半導体素子1を囲繞し、第1の冷却器8に当接する熱可塑性のモールド樹脂6と、冷媒が循環し、モールド樹脂6に当接する第2の冷却器8とを備えている半導体装置10。放熱板2は、クラッド材から構成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
冷媒が循環する第1の冷却器と、
前記第1の冷却器と間隔を隔てて対向配置された放熱板と、
前記放熱板に接合されている半導体素子と、
前記放熱板と前記半導体素子を囲繞し、前記第1の冷却器に当接する熱可塑性のモールド樹脂と、
冷媒が循環し、前記モールド樹脂に当接する第2の冷却器とを備えている半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F136BA00
, 5F136BB18
, 5F136CB06
, 5F136DA05
, 5F136DA27
, 5F136EA70
, 5F136GA35
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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