特許
J-GLOBAL ID:200903007744956528

モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-327072
公開番号(公開出願番号):特開2004-165281
出願日: 2002年11月11日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】モールド樹脂封止型パワー半導体装置用の絶縁樹脂層の取り扱い性及び信頼性の向上。【解決手段】金属層7と未硬化の絶縁樹脂層6とから成る絶縁シートを形成する。同層6は、例えば鱗片状の粒形状を有するフィラーを含み、チクソ性を有すると共に、金属板底面8Sよりも大の外形寸法6Lを有する。上記絶縁シートを金型のキャビティ底面上に配置し、樹脂層上面6US上に金属板8を配置する。同板主面8Tには、フレーム1Aが接続され且つワイヤ4を介してフレーム1Bと接続されたパワー半導体チップ2が搭載されている。この状態でキャビティは液状のモールド樹脂5で完全に充填される。その後は、モールド樹脂5の硬化と同タイミングで絶縁樹脂層6も硬化して両部材6,8が固着する。両部材6,8の界面は絶縁樹脂層上面6US内に包含される。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
主面と、その厚み方向に前記主面に対向した底面と、前記主面と前記底面とで挟まれた側面とを備える、ヒートシンクとしての金属板と、 前記金属板の前記主面の周縁部上に直接的に固着された先端部を備える第1インナーリード部と、前記第1インナーリード部に連続的に繋がった第1アウターリード部とを備える第1リードフレームと、 電極を有する先端部を備える第2インナーリード部と、前記第2インナーリード部に連続的に繋がった第2アウターリード部とを備える第2リードフレームと、 前記金属板の前記主面の中央部上に導電層を介して固着された導電パターンを有する下面と、その厚み方向に前記下面に対向していると共に前記第2インナーリード部の前記電極と金属配線を介して電気的に接続された電極パターンを有する上面と、前記上面と前記下面とで挟まれた側面とを備えるパワー半導体チップと、 前記金属板の前記底面に接触しつつ前記底面に固着された上面と、その厚み方向に前記上面に対向する下面と、前記上面と前記下面とで挟まれた側面とを備える絶縁樹脂層と、 前記絶縁樹脂層の前記下面に接触しつつ当該下面に固着された上面と、その厚み方向に前記上面に対向すると共に、少なくとも前記絶縁樹脂層と前記金属板との界面直下に位置する部分は外部に露出している下面と、前記上面と前記露出下面とで挟まれた側面とを備える金属層と、 少なくとも、前記第1及び第2インナーリード部と、前記金属配線と、前記パワー半導体チップの前記上面及び前記側面と、前記導電層と、前記金属板の前記主面及び前記側面とを被覆して筐体を形成するモールド樹脂とを備えることを特徴とする、 モールド樹脂封止型パワー半導体装置。
IPC (3件):
H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29
FI (3件):
H01L23/28 B ,  H01L21/56 T ,  H01L23/36 A
Fターム (18件):
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109DB04 ,  4M109DB16 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BC22 ,  5F036BE01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD14 ,  5F061FA05
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平2-150415
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-218345   出願人:株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
  • 電子回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-213620   出願人:株式会社東芝
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