シリコン基板を単分子層でドープする方法および組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 胡田尚則 , 齋藤都子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-557161
公開番号（公開出願番号）：特表2013-522878
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

テトラエチレングリコールジメチルエーテル(テトラグリム)およびドーパント含有物質を含む希釈ドーパント溶液で基板を処理すること、および続いて急速熱アニールによって該ドーパントを表面内に拡散させること、によってシリコン基板をドープするための組成物および方法である。ジエチル-1-プロピルホスホネートおよびアリルボロン酸ピナコールエステルは好ましいドーパント含有物質であり、そして好ましくは希釈ドーパント溶液中に約1%〜約20%の量で含まれ、ドーパント量4%以下がより好ましい。

請求項（抜粋）：

ドープされたSi表面の製造方法であって: a)Si表面をクリーニングして酸化物を除去すること;ならびに b)クリーニングされたSi表面を、テトラエチレングリコールジメチルエーテル(テトラグリム)およびSi表面をドープするのに有効なドーパント物質を含む希薄ドーパント溶液と接触させること; を含み、該接触が、該表面上にドーパント物質の層を形成するのに有効な時間および温度である、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 , H01L 21/228

FI (3件)：

H01L21/22 P , H01L21/228 , H01L21/22 Y

引用特許：

審査官引用 (8件)

被洗浄物の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-249581 出願人：ジャパン・フィールド株式会社
特開昭63-311723
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-191420 出願人：山形日本電気株式会社

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