ライントンネリングトンネル電界効果トランジスタ(TFET)及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-114056
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012723
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】ソース領域、ドレイン領域、ソース領域とソース-チャネル界面およびドレイン領域とドレイン-チャネル界面を形成するチャネル領域、を有するトンネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ソース領域は、第1ソースサブ領域20と、ソース-チャネル界面201に近接する第2ソースサブ領域25とを含み、第1ソースサブ領域と第2ソースサブ領域との間の界面が規定される。第2ピーク濃度は、第1ソースサブ領域と第2ソースサブ領域との界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイルの最大レベルより充分高い。チャネル領域21及びドレイン領域22がゲート電極24によって覆われないように、ソース領域の一部を長手方向Lに覆うようにした電極24と、ゲート電極とソース領域との間の長手方向Lに沿ったゲート誘電体29と備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドープされたソース領域(30)、ドープされたドレイン領域(22)、及び、ソース領域(30)とドレイン領域(22)との間に位置し、ソース領域(30)とソース-チャネル界面(201)を、ドレイン領域(22)とドレイン-チャネル界面(202)を形成するチャネル領域(21)、を有するソース-チャネル-ドレイン構造と、ソース領域(30)の少なくとも一部を長手方向(L)に沿って覆うゲート電極(24)であって、チャネル領域(21)及びドレイン領域(22)がゲート電極(24)によって覆われないようにした電極(24)と、ゲート電極(24)とソース領域(30)との間の長手方向(L)に沿ったゲート誘電体(29)とを備え、ソース領域(30)は、第1ドーピング型のドーパント元素を用いた、第1ピーク濃度(1021)を有する第1ドーピングプロファイル(1011)でドープされた第1ソースサブ領域(20)と、さらに、第1ドーパント元素と同じドーピング型を有する第2ドーパント元素を用いた第2ドーピングプロファイル(1012)でドープされた、ソース-チャネル界面(201)に近接する第2ソースサブ領域(25)とを含み、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間で界面(1014)が規定され、第2ドーピングプロファイル(1012)の第2ピーク濃度(1022)は、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)の位置又は該界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイル(1011)の最大ドーピングレベル(1023)より充分に高い、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 29/06 , H01L 29/66

FI (5件)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 618C , H01L29/06 601W , H01L29/78 616V , H01L29/66 T

Fターム (40件)：

5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB04 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE25 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG26 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HK17 , 5F110HM02 , 5F110HM05 , 5F110HM12 , 5F110HM13

引用特許：

審査官引用 (1件)

ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-057424 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント

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