特許
J-GLOBAL ID：201303090172821321
III族窒化物結晶及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-197446
公開番号（公開出願番号）：特開2013-056820
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】積層欠陥が少ないIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】III族窒化物からなり半極性面又は非極性面を主面とする種結晶101上にIII族窒化物半導体層102が形成されたIII族窒化物結晶100であって、前記種結晶101の主面内の輝線密度(α)と前記III族窒化物半導体層102の前記主面と平行な面内の輝線密度(β)との比(β/α)が10以下であるか、|β-α|が50以下であるIII族窒化物結晶100。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
III族窒化物からなり半極性面又は非極性面を主面とする種結晶上にIII族窒化物半導体層が形成されたIII族窒化物結晶であって、前記種結晶の主面内の輝線密度(α)と前記III族窒化物半導体層の前記主面と平行な面内の輝線密度(β)との比(β/α)が10以下であるIII族窒化物結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 7/10
, C01B 21/06
C30B29/38 D
, C30B7/10
, C01B21/06 A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB04
, 4G077CB03
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077HA12
