アモノサーマル法および窒化物結晶

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-033955
公開番号（公開出願番号）：特開2011-032154
出願日： 2010年02月18日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。【解決手段】臭化アンモニウムかヨウ化アンモニウムの少なくとも一方が溶解したアンモニア中に原料を溶解する領域の温度と、原料が溶解したアンモニアから窒化物結晶を成長させる領域の温度差を5〜70°Cにする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

アンモニア中で窒化物結晶を成長させるアモノサーマル法において、前記アンモニア中に臭化アンモニウムかヨウ化アンモニウムの少なくとも一方が溶解しており、前記窒化物結晶の原料を前記アンモニア中に溶解する領域の温度と、前記窒化物結晶を成長させる領域の温度の差が5〜70°Cであることを特徴とするアモノサーマル法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 7/10

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B7/10

Fターム (18件)：

4G077AA02 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077CB01 , 4G077CB04 , 4G077EA01 , 4G077EA04 , 4G077EB01 , 4G077EC08 , 4G077ED01 , 4G077EE02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077KA03 , 4G077KA05 , 4G077KA06 , 4G077KA09

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-263604 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人東北大学
バルク単結晶ガリウム含有窒化物およびその用途
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-551658 出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
窒化物単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076167 出願人：三菱化学株式会社

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