ベンゾビスチアジアゾール化合物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-273878
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124231
出願日： 2011年12月14日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】優れた電気特性を発揮し、有機半導体の材料として好適に用いることができるベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物の提供。【解決手段】ベンゾビスチアジアゾール由来の骨格を有する化合物であって、該化合物は、下記式(1);(式中、R1、R2は、同一又は異なって、置換基を表し、m、nは、同一又は異なって、置換基の数を表す。)で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ベンゾビスチアジアゾール由来の骨格を有する化合物であって、該化合物は、下記式(1);

IPC (3件)：

C07D 513/04 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (4件)：

C07D513/04 301 , C07D513/04 , H01L29/28 100 , H01L29/28 250H

Fターム (10件)：

4C072AA01 , 4C072AA07 , 4C072BB02 , 4C072BB06 , 4C072CC04 , 4C072CC17 , 4C072EE12 , 4C072FF13 , 4C072GG01 , 4C072HH02

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭62-033157
ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-264198 出願人：国立大学法人東京工業大学, 三菱化学株式会社
π電子系化合物、及びそれを用いたn-型有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-021113 出願人：国立大学法人東京工業大学

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審査官引用 (5件)

π電子系化合物、及びそれを用いたn-型有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-021113 出願人：国立大学法人東京工業大学
電子活性成分としての2,1,3-ベンゾチアジアゾール
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-516599 出願人：コビオン・オーガニック・セミコンダクターズ・ゲーエムベーハー
特開昭62-033157

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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