特許
J-GLOBAL ID：201303090547673864
電子デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237246
特許番号：特許第4711484号
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SIMOX基板の表面にレ-ザ-照射領域が開口されたマスクを形成する工程、エキシマレ-ザ-を照射することにより前記レ-ザ-照射領域から露出する前記SIMOX基板の活性層領域にゲッタリング用の格子欠陥を導入する工程を含み、
前記マスクとして、SiH4ガスとN2ガスとの流量比を、SiH4/N2=0.40〜0.55の範囲に設定したECR-CVD法により形成された、膜厚0.3〜1μmのSiN膜を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 21/322 E
, H01L 27/06 102 D
