特許
J-GLOBAL ID：201303090700401224

半導体装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-125241
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178582
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】トランジスタの特性バラツキの影響を低減し、負荷の電圧電流特性が変化しても、所定の電流を供給でき、信号電流が小さな場合であっても信号の書き込み速度を十分に向上させることのできる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、電流電圧変換素子とトランジスタとが直列に接続され、電流電圧変換素子に電流が流れるときにかかる電圧を増幅回路で検出し、その電圧に基づいて増幅回路がトランジスタのゲートソース間電圧を設定する。よって、増幅回路は出力インピーダンスが低いので信号電流が小さな場合であっても信号の書き込み速度を十分に向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
負荷に供給する電流をトランジスタで制御する回路を具備する半導体装置であって、 前記トランジスタのソース端子又はドレイン端子の一方が電流電圧変換素子と電気的に接続され、 前記トランジスタが飽和領域で動作するように前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間の電圧を制御することにより前記電流電圧変換素子に発生する電圧を制御する増幅回路が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G09G 3/30 ,  G09G 3/20
FI (5件)：
G09G3/30 J ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 642A ,  G09G3/20 642P ,  G09G3/20 623R
Fターム (83件)：
5C080AA06 ,  5C080AA10 ,  5C080AA13 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD05 ,  5C080DD26 ,  5C080DD27 ,  5C080DD29 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK02 ,  5C080KK07 ,  5C080KK08 ,  5C080KK20 ,  5C080KK23 ,  5C080KK34 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5C080KK50 ,  5C380AA01 ,  5C380AA02 ,  5C380AB06 ,  5C380AB11 ,  5C380AB12 ,  5C380AB13 ,  5C380AB18 ,  5C380AB22 ,  5C380AB23 ,  5C380AB24 ,  5C380AB34 ,  5C380AC07 ,  5C380AC08 ,  5C380AC09 ,  5C380AC11 ,  5C380AC12 ,  5C380AC13 ,  5C380AC16 ,  5C380BA01 ,  5C380BA19 ,  5C380BA28 ,  5C380BA36 ,  5C380BA39 ,  5C380BB02 ,  5C380BD02 ,  5C380CA04 ,  5C380CA12 ,  5C380CA13 ,  5C380CA22 ,  5C380CA25 ,  5C380CA26 ,  5C380CA34 ,  5C380CB17 ,  5C380CC13 ,  5C380CC14 ,  5C380CC16 ,  5C380CC18 ,  5C380CC26 ,  5C380CC27 ,  5C380CC28 ,  5C380CC30 ,  5C380CC33 ,  5C380CC39 ,  5C380CC64 ,  5C380CC66 ,  5C380CD014 ,  5C380CD016 ,  5C380CE04 ,  5C380CF07 ,  5C380CF09 ,  5C380CF12 ,  5C380CF26 ,  5C380CF27 ,  5C380CF28 ,  5C380CF41 ,  5C380CF46 ,  5C380CF48 ,  5C380DA02 ,  5C380DA50 ,  5C380FA02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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