特許
J-GLOBAL ID：201303090902880027

磁気センサおよびその製造方法

発明者：
太田 尚城

太田 尚城 について

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照沼 幸一

照沼 幸一 について

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三浦 聡

三浦 聡 について

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酒井 正則

酒井 正則 について

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山崎 寛史

山崎 寛史 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174718
公開番号（公開出願番号）：特開2012-255796
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。【解決手段】磁化固着層63と介在層62と磁化自由層61とを順にそれぞれ含むと共に、信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第1および第2のMR素子を備える。ここで、第1のMR素子における磁化固着層63は、介在層62の側から順にピンド層631と、結合層632と、ピンド層631と反強磁性結合するピンド層633とを含むシンセティック構造を有する。このシンセティック構造は、ピンド層633の総磁気モーメントがピンド層631の総磁気モーメントよりも大きなものである。一方、第2のMR素子における磁化固着層63は、単一もしくは複数の強磁性材料層からなる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一定方向に固着された磁化を有する磁化固着層と、非磁性の介在層と、信号磁場に応じて磁化の向きが変化する磁化自由層とを順にそれぞれ含むと共に、前記信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第1および第2の磁気抵抗効果素子を備え、 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子の双方における前記磁化固着層が、前記介在層の側から順に第1の強磁性層と、結合層と、前記結合層を介して前記第1の強磁性層と反強磁性結合する第2の強磁性層とを含むシンセティック構造を有し、 前記第1の磁気抵抗効果素子におけるシンセティック構造は、前記第1の強磁性層の総磁気モーメントが前記第2の強磁性層の総磁気モーメントと一致もしくは前記第2の強磁性層の総磁気モーメントよりも大きなものであり、 前記第2の磁気抵抗効果素子におけるシンセティック構造は、前記第2の強磁性層の総磁気モーメントが前記第1の強磁性層の総磁気モーメントよりも大きなものである ことを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件)：
G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (27件)：
2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD64 ,  5F092AA11 ,  5F092AA12 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092CA26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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