特許
J-GLOBAL ID：201303090982515596

臨界温度サーミスタ、該サーミスタ用のサーミスタ素子、およびその製造方法

発明者：
上城 政博

上城 政博 について


出願人/特許権者：
ニチコン株式会社

ニチコン株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-144235
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012583
出願日： 2011年06月29日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
【課題】臨界温度サーミスタ用のディスク状サーミスタ素子の製造方法、並びに、当該製造方法により製造されたサーミスタ素子を用いた臨界温度サーミスタを提供する。【解決手段】酸化バナジウム粉末に、バインダーとしてのポリビニルアルコールまたはメチルセルロース、および、導電性物質としてのカーボンを添加して成形を行い、ディスク状の成形体を得る工程(工程A)と、前記工程Aにより得られた成形体の側面を、シリコン系樹脂またはエポキシ系樹脂で外装し補強する工程(工程B)と、前記工程Bにより得られた成形体の両主面に導電性接着剤を付着させる工程(工程C)とを含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
臨界温度サーミスタ用のサーミスタ素子を製造する方法であって、 酸化バナジウム粉末に、バインダーとしてポリビニルアルコールまたはメチルセルロース、および、導電性物質としてカーボンを添加して成形を行い、ディスク状の成形体を得る第1工程と、 前記成形体の両主面を除く外周側面を、シリコン系樹脂またはエポキシ系樹脂で外装し補強する第2工程と、 前記第2工程により得られた成形体の両主面に導電性接着剤を付着させる第3工程と、 を含むことを特徴とする臨界温度サーミスタ用のサーミスタ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01C 7/04 ,  G01K 7/22
FI (2件)：
H01C7/04 ,  G01K7/22 N
Fターム (7件)：
2F056QF01 ,  2F056QF07 ,  2F056QF10 ,  5E034BA09 ,  5E034BC07 ,  5E034DA03 ,  5E034DC02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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