特許

J-GLOBAL ID：201303091565703327

双方向型二端子サイリスタ

発明者： 冨田 昌明 ,  高橋 一典 ,  八幡 智彦
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302100
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109967
特許番号：特許第5084084号
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体基板に、 前記半導体基板の一方の面に露出させて形成してなる前記半導体基板とは反対型の第2導電型の第1の導電領域と、 前記一方の面に露出させて形成すると共に前記第1の導電領域内に配列してなるN個(N≧2)の第1導電型の第2の導電領域と、 前記第1の導電領域に隣接し前記第1の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなる第1導電型の第3の導電領域と、 前記半導体基板の前記一方の面に背向する他方の面に露出させて形成してなる第2導電型の第4の導電領域と、 前記他方の面に露出させて形成すると共に前記第4の導電領域内に配列してなるN個の第1導電型の第5の導電領域と、 前記第4の導電領域に隣接し前記第4の導電領域と前記半導体基板との接合を取り囲むように前記半導体基板側に形成してなる第1導電型の第6の導電領域とを設け、 N個の前記第2の導電領域とN個の前記第5の導電領域とは、平面的に見て交互に且つ互いに接した状態に配置されてなることを特徴とする双方向型二端子サイリスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/332 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/87 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/747 301 ,  H01L 29/90 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• サージ防護素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189038   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭64-071163
  

審査官引用 (3件)

• サージ防護素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189038   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭64-071163
  
• 特開昭64-071163