特許
J-GLOBAL ID：201303091977220720

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板及びそれらの製造方法

発明者：
ソ ヒュンシク

ソ ヒュンシク について

, 
キム ポンチュル

キム ポンチュル について

, 
キム テウォン

キム テウォン について


出願人/特許権者：
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド について


代理人 (4件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-268197
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168632
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】ゲート電極に銅配線を用いる薄膜トランジスタ及びその製造方法を改善する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタを製造する方法は、基板上に第1金属層及び該第1金属層上に銅からなる第2金属層を連続して形成する工程と、前記第2金属層上に窒化銅層を形成するプラズマ処理工程と、前記窒化銅層、前記第2金属層及び前記第1金属層をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含む基板上に窒化シリコンからなる第1ゲート絶縁層を形成する工程と、前記第1ゲート絶縁層上に酸化シリコンからなる第2ゲート絶縁層を形成する工程と、前記第2ゲート絶縁層上に酸化半導体材料で形成された半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に、互いに離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成する工程を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを製造する方法であって、 基板上に第1金属層及び該第1金属層上に銅からなる第2金属層を連続して形成する工程と、 前記第2金属層上に窒化銅層を形成するプラズマ処理工程と、 前記窒化銅層、前記第2金属層及び前記第1金属層をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極を含む前記基板上に窒化シリコンからなる第1ゲート絶縁層を形成する工程と、 前記第1ゲート絶縁層上に酸化シリコンからなる第2ゲート絶縁層を形成する工程と、 前記第2ゲート絶縁層上に酸化半導体材料で形成された半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に、互いに離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成する工程 を備える方法。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/06
FI (16件)：
H01L29/78 617L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 B ,  H01L29/58 G ,  H05B33/10 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06
Fターム (65件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC31 ,  3K107DD38 ,  3K107DD39 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107GG28 ,  3K107HH04 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD63 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG13 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK22 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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