特許
J-GLOBAL ID：201003011572230145

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224178
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062229
出願日： 2008年09月01日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側(バックチャネル側)であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極上にゲート絶縁層が設けられ、 前記ゲート絶縁層上にチャネル形成領域が形成される酸素過剰型の酸化物半導体層と 前記酸素過剰型の酸化物半導体層上に一対のソース領域及びドレイン領域を形成する酸素欠乏型の酸化物半導体層と、 前記酸素欠乏型の酸化物半導体層に接するソース電極層及びドレイン電極層を有し、 前記酸素過剰型の酸化物半導体層の前記ゲート絶縁層とは反対側の面であって、前記ソース領域及びドレイン領域に挟まれた領域と、該領域に近接する前記素欠乏型の酸化物半導体層の側端部に酸素濃度の高い高抵抗領域をすること を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  C01G 15/00
FI (4件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  C01G15/00 Z
Fターム (51件)：
5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN37 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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