特許
J-GLOBAL ID：201303092014032363

半導体装置の耐湿信頼性評価方法

発明者：
岩重 朝仁

岩重 朝仁 について


出願人/特許権者：
日立化成株式会社

日立化成株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065124
公開番号（公開出願番号）：特開2013-195329
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】短時間で耐湿信頼性の評価を行うことができる半導体装置の耐湿信頼性評価方法を提供する。【解決手段】半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置の耐湿信頼性評価方法であって、上記エポキシ樹脂組成物を用いて、特定の熱硬化条件および寸法条件で円板状樹脂硬化体サンプルを作製し、上記サンプルに対して、特定の吸湿処理条件で吸湿させた後、誘電緩和測定装置を用いてイオン分極起因の誘電損失ピークを測定し、ピーク上の誘電損失が0.81±0.05となる周波数を読み取り、その周波数から上記半導体装置の耐湿信頼性を評価する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置の耐湿信頼性評価方法であって、上記エポキシ樹脂組成物を用いて下記(X)に示す熱硬化条件および寸法条件で円板状樹脂硬化体サンプルを作製し、上記サンプルに対して、下記(Y)に示す吸湿処理条件で吸湿させた後、誘電緩和測定装置を用いてイオン分極起因の誘電損失ピークを測定し、ピーク上の誘電損失が0.81±0.05となる周波数を読み取り、その周波数から上記半導体装置の耐湿信頼性を評価することを特徴とする半導体装置の耐湿信頼性評価方法。 (X)熱硬化条件:175±10°C×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10°C×3±2時間のアフターキュア。 寸法条件:誘電緩和測定装置の電極の直径以上で、厚み1±0.6mm。 (Y)吸湿処理条件:130°C、湿度85%の雰囲気下で、80±30時間。
IPC (3件)：
G01N 27/22 ,  G01N 17/00 ,  G01R 31/30
FI (3件)：
G01N27/22 C ,  G01N17/00 ,  G01R31/30
Fターム (21件)：
2G050AA02 ,  2G050BA05 ,  2G050BA06 ,  2G050BA10 ,  2G050CA01 ,  2G050EA01 ,  2G050EA02 ,  2G050EB02 ,  2G050EC01 ,  2G050EC05 ,  2G060AA09 ,  2G060AE40 ,  2G060AF06 ,  2G060AF11 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060KA16 ,  2G132AA00 ,  2G132AB15 ,  2G132AD15 ,  2G132AL09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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