特許
J-GLOBAL ID：201303092160166282

サンプルの特性を画像化し、サンプル内の損傷の領域を識別するシステムおよび方法

発明者：
バネルジー,サトヤジ

バネルジー,サトヤジ について

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モハン,シャイアム

モハン,シャイアム について

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シンハ,ジャイバルハン

シンハ,ジャイバルハン について


出願人/特許権者：
インディアン インスティテュート オブ テクノロジー カーンプル

インディアン インスティテュート オブ テクノロジー カーンプル について


代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  土屋 徹雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-533292
公開番号（公開出願番号）：特表2013-544352
出願日： 2010年11月29日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
サンプルの特性を画像化し、サンプル内の損傷の領域を識別するシステムおよび方法を概括的に説明する。材料の領域の非破壊評価のいくつかの例示的システムおよび方法は、システムが、材料を通して結合されたDC電流によって生成される自己磁場を画像化することによって、弱い構造的損傷が発生した材料の領域を直接に画像化する、直流(DC)モードで動作することができる。いくつかの例示的システムは、サンプル内に渦電流を誘導するAC励起コイルに起因する時間変化する磁場を生成することと、損傷の領域の周囲で渦電流によって生成される磁場を画像化することとによって、損傷が発生した材料の領域を画像化する交流(AC)モードで動作することができる。システムは、光磁気画像化技法(MOI)を使用して、たとえば、材料内の磁場および電流の流れのチャネルを測定し、マッピングすることができる。
請求項（抜粋）：
サンプルの特性を識別する方法であって、 磁場がサンプルの表面にわたって生成されるようにサンプルに電流を結合することであって、前記磁場は、前記サンプルの特性に起因して変化する、結合することと、 前記サンプルの前記表面に実質的に隣接して位置決めされた光磁気膜に直線偏光光を提供することであって、前記直線偏光光の少なくとも一部は、反射光として前記光磁気膜によって反射される、提供することと、 前記反射光の少なくとも一部の光磁気画像化(MOI)を使用して前記サンプルの画像を取り込むことであって、反射光の面は、前記直線偏光光が前記光磁気膜によって反射される前記サンプルの位置での前記磁場の存在に起因して前記直線偏光光に関して回転される、取り込むことと を含む方法。
IPC (2件)：
G01N 27/85 ,  G01N 21/88
FI (2件)：
G01N27/85 ,  G01N21/88 H
Fターム (21件)：
2G051AA90 ,  2G051AB02 ,  2G051BA11 ,  2G051CA04 ,  2G051CC07 ,  2G051CC20 ,  2G051EA08 ,  2G053AA11 ,  2G053AB21 ,  2G053AB22 ,  2G053BA03 ,  2G053BA24 ,  2G053BB11 ,  2G053BC02 ,  2G053BC03 ,  2G053BC14 ,  2G053BC15 ,  2G053CA09 ,  2G053CA20 ,  2G053CB29 ,  2G053DB28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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