熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木宏義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-247819
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033291
出願日： 2012年11月09日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が200°C以上である元素を少なくとも1種類含み、溶融性複合金属材料、相変化性複合金属材料、酸化性複合金属材料のいずれかを含有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が200°C以上である元素を少なくとも1種類含み、溶融性複合金属材料、相変化性複合金属材料、酸化性複合金属材料のいずれかを含有することを特徴とする熱反応型レジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/004 , G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/004 , G03F7/40 521 , H01L21/30 502D

Fターム (15件)：

2H096AA27 , 2H096BA13 , 2H096CA17 , 2H096EA02 , 2H096EA04 , 2H096EA23 , 2H096GA45 , 2H096HA24 , 2H096JA04 , 2H125AB03 , 2H125CA11 , 2H125CB03 , 2H125CC29 , 5F146AA28 , 5F146AA33

引用特許：

出願人引用 (14件)

マスタ基板及び高密度凹凸構造を製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-537428 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
デバイスの製造方法及び観察方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-332657 出願人：株式会社日立製作所
光ディスク用原盤の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-197931 出願人：日本ビクター株式会社

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審査官引用 (15件)

マスタ基板及び高密度凹凸構造を製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-537428 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
デバイスの製造方法及び観察方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-332657 出願人：株式会社日立製作所
光ディスク用原盤の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-197931 出願人：日本ビクター株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

Calculated In-Sb phase diagram
Ge-Sn
Co-In

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