メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本典輝 , 山下昭彦 , 岸本達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-013008
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153051
出願日： 2012年01月25日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】簡易な方法で製造することができ、配線パターンの高精細化が可能な、メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されているメタライズドセラミックスビア基板であって、融点が600°C以上1100°C以下の金属(A)と、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)と、活性金属とを含む導電性の金属がセラミックス焼結体基板のスルーホールに密充填されてなる導電性ビアを有し、セラミックス焼結体基板の両面のうち少なくとも一方の面に、金属(A)と金属(B)と活性金属とを含む導電性の金属からなる表面導電層を有する配線パターンを有し、配線パターンが表面導電層の表面にメッキ層を有し、導電性ビアとセラミックス焼結体基板との界面および表面導電層とセラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されている、メタライズドセラミックスビア基板等とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されているメタライズドセラミックスビア基板であって、融点が600°C以上1100°C以下の金属(A)と、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)と、活性金属とを含む導電性の金属が、前記セラミックス焼結体基板のスルーホールに密充填されてなる前記導電性ビアを有し、前記セラミックス焼結体基板の両面のうち少なくとも一方の面に、前記金属(A)と、前記金属(B)と、活性金属とを含む導電性の金属からなる表面導電層を有する配線パターンを有し、前記配線パターンが、前記表面導電層の表面にメッキ層を有し、前記導電性ビアと前記セラミックス焼結体基板との界面および前記表面導電層と前記セラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されている、メタライズドセラミックスビア基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 , H05K 1/11 , H05K 3/40 , H01L 23/13

FI (6件)：

H05K3/46 N , H05K3/46 H , H05K3/46 S , H05K1/11 N , H05K3/40 K , H01L23/12 C

Fターム (33件)：

5E317AA24 , 5E317BB04 , 5E317BB12 , 5E317BB13 , 5E317BB14 , 5E317BB18 , 5E317CC22 , 5E317CC25 , 5E317CC31 , 5E317CC51 , 5E317CD21 , 5E317CD27 , 5E317CD32 , 5E317GG14 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA32 , 5E346AA41 , 5E346BB02 , 5E346CC02 , 5E346CC17 , 5E346CC18 , 5E346CC19 , 5E346CC32 , 5E346CC38 , 5E346CC39 , 5E346CC54 , 5E346CC55 , 5E346DD02 , 5E346DD13 , 5E346DD22 , 5E346FF18 , 5E346HH25

引用特許：

審査官引用 (1件)

セラミックス回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-141781 出願人：株式会社東芝

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