特許
J-GLOBAL ID：201303092935767075

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
阿部 博明

阿部 博明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194971
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016319
特許番号：特許第4770002号
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板に少なくとも第1半導体発光素子と第2半導体発光素子を有し、 GaAs基板である基板と、 第1半導体発光素子形成領域において上記基板上に、少なくとも第1導電型の第1クラッド層、第1活性層および第2導電型の第2クラッド層が積層されて形成された第1積層体と、 第2半導体発光素子形成領域において上記基板に形成された凸状部である高さ調整部と、 上記高さ調整部上に、少なくとも第1導電型の第3クラッド層、第2活性層および第2導電型の第4クラッド層が積層され、AlGaInP系半導体積層体により形成されている第2積層体と を有し、 上記第1活性層と上記第2活性層が互いに異なる組成元素を有して組成が互いに異なり、 上記第1積層体と上記第2積層体の組成が互いに異なり、 上記第1積層体と上記第2積層体の頂部高さが実質的に同一であり、 上記第1積層体と上記第2積層体が空間的に互いに分離されており、 上記第1活性層と上記第2活性層からそれぞれ光を出射する 半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01S 5/22 ( 200 6.01) ,  H01L 33/30 ( 201 0.01) ,  H01S 5/022 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01S 5/22 610 ,  H01L 33/00 184 ,  H01S 5/022
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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