特許
J-GLOBAL ID：201303092950369655

液晶表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-255129
公開番号（公開出願番号）：特開2013-047852
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：
【課題】TFTの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するTFTと、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第1の半導体膜と、第1の半導体膜上に形成された一対の第2の半導体膜とを有し、一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第1の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
画素部と、走査線駆動回路とを同一基板上に有し、 前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するTFTが設けられており、 前記走査線駆動回路が有するTFTと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の半導体膜と、前記第1の半導体膜上に形成された一導電型を付与する不純物が添加されていない非晶質半導体でなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された一対の第2の半導体膜と、を有し、 前記一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、 前記第1の半導体膜は、結晶粒を非晶質半導体中に含む微結晶半導体膜を含む半導体で形成されており、 前記ゲート絶縁膜と前記第1の半導体膜との界面、前記第1の半導体膜と前記バッファ層との界面、前記バッファ層と前記第2の半導体膜との界面は、大気成分又は大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されていないことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V
Fターム (71件)：
2H092GA43 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA55 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JB42 ,  2H092JB64 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF24 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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