特許

J-GLOBAL ID：201303093327262900

抵抗変化メモリ

発明者： 川 崎 博 久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207445
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069869
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】低電流動作が可能で、一方向整流性および良好なデータ保持特性を有する抵抗変化メモリを提供することを可能にする。【解決手段】本実施形態の抵抗変化メモリは、金属イオン源を含むイオン源電極と、対向電極と、前記イオン源電極と前記対向電極との間に設けられたアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜と前記イオン源電極との間に設けられたポリシリコン膜と、を有するメモリセルを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属イオン源を含むイオン源電極と、 対向電極と、 前記イオン源電極と前記対向電極との間に設けられたアモルファスシリコン膜と、 前記アモルファスシリコン膜と前記イオン源電極との間に設けられたポリシリコン膜と、 を有するメモリセルを備えていることを特徴とする抵抗変化メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-158437   出願人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー