半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-138154
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140936
出願日： 2012年06月19日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：

【課題】銅イオンの遊離を防止可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】上表面111、及び上表面111に設けられ第1接合表面113及び側壁114を有する複数の導電パッド112を有する基板110を提供する。次に、チップ120を基板110にフリップチップ結合させる。チップ120は、主面121及び複数の主面121に設けられる銅含有バンプ122を有し、銅含有バンプ122は、第2接合表面122a及び環状の表面122bを有する。遊離防止コロイド130を基板110及びチップ120の間に設ける。遊離防止コロイド130が有する複数の遊離防止材131は、複数の銅含有バンプ122の環状の表面122b及び導電パッド112の側壁114を覆う。これにより、銅含有バンプ122中の銅イオンの遊離が発生するとき、遊離防止材131は遊離した銅イオンを捕捉し、短絡の発生を防止できる。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

上表面及び前記上表面上に設けられるとともにそれぞれ第1接合表面を有する複数の導電パッドを含む基板を提供するステップと、チップを前記基板にフリップチップ結合させるステップと、複数の銅含有バンプの環状の表面を覆う複数の遊離防止材を有する遊離防止コロイドを前記基板及び前記チップの間に形成させるステップと、を含み、前記チップは主面及び前記主面上に設けられる複数の前記銅含有バンプを有し、前記主面は前記基板の前記上表面側に向き、かつ複数の前記銅含有バンプは直接複数の前記導電パッドに接合され、前記銅含有バンプは第2接合表面及び環状の表面を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (1件)：

H01L21/60 311Q

Fターム (4件)：

5F044KK01 , 5F044LL01 , 5F044QQ03 , 5F044RR17

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-030965 出願人：シャープ株式会社
接続材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-050486 出願人：ソニーケミカル株式会社
接続構造体の製造方法及び接続構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-044191 出願人：積水化学工業株式会社

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