特許

J-GLOBAL ID：201303093983277914

研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法

発明者： 三輪 俊博 ,  織田 博之 ,  高見 信一郎 ,  ▲高▼橋 修平 ,  井上 穣
出願人/特許権者： 株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-027495
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165173
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】研磨対象物の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易な研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】研磨用組成物に含有する二酸化ケイ素は、BET法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が40nm以上である。研磨用組成物1リットル中の二酸化ケイ素の個数をA、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をB、塩基性化合物の分子数をCとしたとき、B/Aの値が1以上かつ7000未満、C/Aの値が5000以上かつ1500000未満とした研磨用組成物は、半導体基板の両面の研磨に用いられる。B/Aの値が1以上かつ7000未満、C/Aの値が5000以上かつ100000未満とした研磨用組成物は、例えば半導体基板の研磨に用いられる。半導体基板の製造方法は、研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する研磨工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、 二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有し、 前記二酸化ケイ素は、BET法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が40nm以上であり、 研磨用組成物1リットル中の二酸化ケイ素の個数をAとし、 含窒素水溶性高分子の単量体単位数をBとし、 塩基性化合物の分子数をCとしたとき、 B/Aの値が1以上かつ7000未満であるとともに、C/Aの値が5000以上かつ1500000未満であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H

Fターム (21件)：

3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA02 ,  5F057AA03 ,  5F057AA14 ,  5F057AA28 ,  5F057BB03 ,  5F057CA18 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA16 ,  5F057EA18 ,  5F057EA21 ,  5F057EA33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨用組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-227614   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド