半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大岩増雄 , 竹中岑生 , 村上啓吾 , 吉澤憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-227644
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089711
出願日： 2011年10月17日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：

【課題】半導体モジュールと冷却装置の間の熱抵抗の増加を防止することが可能な半導体装置を得る。【解決手段】半導体モジュール10を板バネ20で加圧しながら冷却装置30に固定する半導体装置において、半導体素子12の上面の面積の少なくとも半分以上が板バネ20の加圧部24の外周24a内に入るように配置し、半導体モジュール10の上面10aから、熱抵抗変化への影響が大きい半導体素子12上を重点的に加圧するようにした。これにより、半導体素子12直下における半導体モジュール10の変位を抑制することができ、半導体モジュール10を冷却装置30に安定して密着させることができる。その結果、半導体モジュール10と冷却装置30の間の熱抵抗の増加を防止することが可能である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体素子が樹脂封止され、中央部に第1貫通穴を有する半導体モジュールと、前記半導体モジュールの上面側に配置され、中央部に第2貫通穴を有する円錐台型の板バネと、前記半導体モジュールの下面側に配置され、中央部にネジ穴を有する冷却装置と、前記第1貫通穴及び前記第2貫通穴を通って前記ネジ穴に螺合され、前記半導体モジュール及び前記板バネを前記冷却装置に固定するネジを備え、前記板バネは、前記第2貫通穴を有する底部と、前記底部の外周から立ち上がる直立部と、前記直立部の上端から外側に円錐台型に延びて前記半導体モジュール上面を押す加圧部を有し、前記半導体素子の上面の面積の半分以上が前記加圧部の外周内に入るように配置され、前記半導体モジュール上面から加圧されることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/40

FI (1件)：

H01L23/40 E

Fターム (4件)：

5F136BA04 , 5F136DA07 , 5F136EA03 , 5F136EA36

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-181689 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-029297 出願人：三菱電機株式会社
パワードライブユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-333582 出願人：株式会社ケーヒン

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