特許
J-GLOBAL ID：201303094168856086

半導体装置の製造方法

発明者：
黒瀬 英司

黒瀬 英司 について


出願人/特許権者：
セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー について


代理人 (2件)： 須藤 克彦 ,  鎌田 康秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-030606
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168491
出願日： 2012年02月15日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】レーザートリミングにより溶断された導電性ヒューズが、めっき工程でめっき電極により再接合されること、及びヒューズ溶断部にめっき液等が入り込むことを防止する。【解決手段】多層配線構造からなり、トリミング素子形成領域70にレーザートリミングにより導電性ヒューズ10が溶断されてできたヒューズ溶断溝10aを有する半導体基板1に対して、トリミング素子形成領域70を被覆する第2の保護層11を形成してから、最上層金属配線からなる外部引き出しパッド電極7にめっき電極12を形成する。その後にめっき電極12上に開口を有し第2の保護層11上を含む半導体基板1上を被覆する第3の保護層13を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
回路特性調整用の導電性ヒューズからなるトリミング素子形成領域を有する半導体装置の製造方法であって、 半導体基板の表面にポリシリコン配線及び複数の金属配線を、複数の絶縁膜を介して多層配線構造に形成する工程と、前記トリミング素子形成領域の前記多層配線構造の一部に1または複数の導電性ヒューズを形成する工程と、前記多層配線の最上層の金属配線で構成される外部引き出しパッド電極の表面の一部と前記トリミング素子形成領域の一部に開口部を有する第1の保護層を形成する工程と、前記トリミング素子形成領域の前記第1の保護層の開口部から前記導電性ヒューズを溶断するレーザートリミング工程と、が処理された前記半導体基板を準備して、 前記レーザートリミング工程が終了した前記トリミング素子形成領域上を被覆する第2の保護層を形成する工程と、 前記第2の保護層が形成された後、前記半導体基板の前記第1の保護層の開口部に露出する前記外部引き出しパッド電極の表面に無電解めっき法によりめっき電極を形成する工程と、 前記半導体基板上に前記めっき電極の一部を露出するソルダーレジストからなる第3の保護層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/312
FI (8件)：
H01L21/82 F ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/88 T ,  H01L27/04 V ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 G ,  H01L21/318 B ,  H01L21/312 B
Fターム (86件)：
5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033UU03 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV11 ,  5F033XX18 ,  5F033XX31 ,  5F038AV02 ,  5F038AV10 ,  5F038AV15 ,  5F038BH10 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058AA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC07 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD08 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AH03 ,  5F058BA02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06 ,  5F058BJ10 ,  5F064DD42 ,  5F064EE33 ,  5F064FF04 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF42 ,  5F064FF46 ,  5F064GG10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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