特許
J-GLOBAL ID：201303094767123135
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 林田 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108550
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157647
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の上面上に形成された電極パッド部2と、電極パッド部2の上面を露出させる第1開口部3aを含み、半導体基板1の上面上に、電極パッド部2の一部と重なるように形成されたパッシベーション層3と、電極パッド部2上に形成されたバリアメタル層5と、バリアメタル層5上に形成された半田バンプ6とを備えている。また、バリアメタル層5は、平面的に見て、外周端部5bがパッシベーション層3の第1開口部3aの内側に形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の表面上に形成された電極パッド部と、
前記電極パッド部の上面を露出させる第1開口部を含み、前記基板の表面上に、前記電極パッド部の一部と重なるように形成された第1保護層と、
前記電極パッド部上に形成されたバリアメタル層と、
前記バリアメタル層上に形成されたバンプ電極と、
前記第1保護層上の所定領域および前記電極パッド部上の所定領域を覆うように形成された第2保護層と、
を備え、
前記バリアメタル層は、平面的に見て、外周端部が前記電極パッド部の周縁よりも内側に形成され、
前記バリアメタル層は、前記第2保護層上に周縁部を位置させた状態で、前記電極パッド部上に形成され、
前記第2保護層には、前記電極パッド部の上面を露出させるとともに、前記第1開口部よりも小さい開口幅を有する第2開口部が設けられており、
前記第2開口部を規定する端縁部は、傾斜形状を有し、
前記バンプ電極は、前記バリアメタル層の前記外周端部を覆うように形成され、
前記バリアメタル層の前記周縁部の前記電極パッド部側の表面は、断面視において曲率の中心が前記電極パッド部側のみにある曲面で形成されることを特徴とする、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602H
, H01L21/92 602K
, H01L21/60 311Q
5F044KK02
, 5F044LL01
, 5F044QQ02
, 5F044QQ05
